FEC法生长Si和In双掺GaAs单晶生长技术

摘要：

研究了几种消除LEC GaAs材料的位错措施以降低温度梯度从而尽可能降低晶体的热应力.掺入等电子In或Si使杂质硬化,为了抑制晶体表面产生位错,开发了全液封切克劳斯基(FEC)晶体生长技术.结合以上三种技术开发出了Si和In双掺FEC GaAs单晶生长技术以消除位错.采用此技术已生长出半导体低位错密度的GaAs晶体,经证实这种掺Si和In低位错GaAs衬底可以满足GaAs LED制作.

关键词：铟和硅双掺杂、全液封、砷化镓单晶、液封直拉法

所属期刊栏目：35

分类号：TN304.23(半导体技术)

在线出版日期：2010-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：313-316