光收发器中光电集成接收芯片的实现

摘要：

针对应用于850 nm光通信中的10/100 Mbit/s收发器,提出采用0.5μm标准CMOS工艺对其光接收芯片实现Si基单片集成.整体芯片面积为0.6 mm~2,共集成了一个双光电二极管的(DPD)光电探测器和一个跨阻前置放大电路,功耗为100 mW,并给出了具体的测试性能结果.结果表明,在850 nm光照下,光接收芯片带宽达到53 MHz,工作速率为72 Mbit/s.重点介绍了DPD光电探测器的原理和结构,并给出了相应的制造过程和电路等效模型,对整个光接收芯片进行了多种实用性测试,可以满足系统的性能要求.

关键词：单片集成、互补型金属氧化物晶体管、双光电二极管、光接收芯片、850、nm光通信

所属期刊栏目：35

分类号：TN491(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：厦门市科技计划3502Z20063002

在线出版日期：2010-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：291-294