5W ISM波段InGaP/GaAs HBT功率放大器MMIC

摘要：

通过分析InGaP/GsAs HBT器件的热学和电学特点,结合HBT大功率放大器芯片在技术性能、稳定性、可靠性及尺寸等方面的要求,通过优化设计HBT功率器件单元和匹配电路,开发了一个大功率、高效率、小尺寸的ISM波段功率放大器单片集成电路.该三级放大器的各级器件单元的发射极面积分别为320 μm~2,1 280μm~2,5 760μm~2,芯片内部包括了输入、输出50 Ω匹配电路.面积仅为1.9mm×2.1 mm.放大器采用5 V单电源供电,在2.4～2.5 GHz频率范围内线性增益为27 dB,2 dB增益压缩点输出饱和功率达到37 dBm,功率附加效率为46%.

关键词：功率放大器、ISM波段、InGaP/GsAs、HBT、无线通信、MMIC

所属期刊栏目：35

分类号：TN45;TN722.75(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2010-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：286-290