聚苯乙烯球掩膜干法粗化提高LED发光效率

摘要：

采用聚苯乙烯球作为掩膜层,对ITO(氧化铟锡)薄膜进行干法蚀刻实现ITO表面的粗化,提高GaN基大功率LED芯片外量子效率.利用AFM及SEM对ITO表面进行表征,比较了微球尺寸对ITO表面形貌及芯片光电参数的影响.结果表明,ITO表面经过350 nm聚苯乙烯球图形化后,在未影响芯片正向电压和波长的前提下所制备的1 mm×1 mm波长为457 nm的大功卒LED芯片,亮度增加可达30%以上.

关键词：聚苯乙烯球、氧化铟锡粗化、大功率发光二极管、外量子效率

所属期刊栏目：35

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）2006AA03A124

在线出版日期：2010-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：260-263