空穴注入层2T-NATA对OLED器件性能的影响

摘要：

为了提高有机电致发光器件OLED的发光效率,引入2T-NATA作为空穴注入层,制备了结构为ITO/2T-NATA(X am)/NPB(25 nm)/Alq_3:C545T(20 nm:质量分数4.5%)/Alq_3(30 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm)的绿光器件,其中X为空穴注入层2T-NATA厚度.分析了2T-NATA的蒸镀厚度分别0,5,10,15,20,25,30,35 nm时器件的发光性能.结果表明,2T-NATA的HOMO能级较好的与ITO功函数匹配,降低了空穴注入势垒,引入空穴注入层2T-NATA提高了器件的发光亮度和效率.当2T-NATA厚度为15 nm时,器件的效果最好,起亮电压只需2.87 V,亮度最高达到18 000 cd/m~2,是不引入空穴注入层亮度的5倍多,在12 V时发光效率可达11.4 cd/A.

关键词：空穴注入层、2T-NATA、有机电致发光器件、发光效率、真空蒸镀

所属期刊栏目：35

分类号：TN383.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;陕西省教育厅专项

在线出版日期：2010-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：256-259