抛光液各组分在SiO_2介质CMP中的作用机理分析

摘要：

介绍了超大规模集成电路中SiO_2介质的化学机械抛光机理及抛光液在化学机械抛光中扮演的重要角色.通过单因素实验法,在低压力的实验环境下,着重分析了抛光液中表面活性剂、pH值调节剂、纳米磨料等成分在SiO_2介质化学机械抛光中的具体作用及影响机理.最终得出,最优化的实验配比,即当表面活性剂的浓度为30 mol/L,pH值为11.30,硅溶胶与去离子水的体积比为2:1时,在保证较低表面粗糙度的同时得到了较高的抛光速率476 nm/min.

关键词：化学机械抛光、SiO_2介质、抛光液、抛光速率、表面粗糙度

所属期刊栏目：35

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2010-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：252-255