Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物快速热退火扩Zn方法研究

摘要：

以GaAs和InP材料为例,对化合物半导体材料中的快速热退火扩Zn可行性进行比较分析,研究表明,化合物半导体材料中快速热退火扩Zn可行性与化合物半导体材料的分解温度有着密切关系.化合物半导体材料分解温度越低,对扩散源、帽层和阻挡层要求越高.针对InP材料高于360℃就分解、低温Zn扩散困难的特点,提出了直接溅射Zn层在410℃低温扩散的方法.对InP快速热退火扩散结果进行分析,初步分析表明其掺杂机理是形成合金结.

关键词：化合物半导体、锌扩散、快速热退火、砷化镓、磷化铟

所属期刊栏目：35

分类号：TN305.4(半导体技术)

在线出版日期：2010-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：245-247,251