FIB参数对低介电常数介质TEM样品制备的影响

摘要：

研究了使用聚焦离子束(FIB)方法制备低k介质的TEM样品时离子束参数对介质微观形貌的影响,发现低k介质的微观形貌与离子束参数具有较强的相关性.传统大离子束流、高加速电压的FIB参数将导致低.k介质多孔性增加、致密度下降;且k值越低,离子束参数影响越大.对于亚65 nm工艺中使用的k值为2.7的介质,当离子束流减小到50 pA、加速电压降低到5 kV时,FIB制样方法对介质致密度的影响基本可忽略,样品微观形貌得到了显著改善;而对于65 nm工艺中使用的k值为3.0的介质,其微观形貌受离子束参数的影响则相对较小.

关键词：低介电常数介质、聚焦离子束、透射电子显微镜、样品制备

所属期刊栏目：35

分类号：TN604(电子元件、组件)

在线出版日期：2010-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：241-244