MOCVD外延生长GaN材料的技术进展

摘要：

第三代半导体材料GaN由于具有优良性质使其在微电子和光电子领域有广阔的应用前景,目前制备GaN的方法主要有分子束(MBE)、氯化物气相外延(HVPE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD).其中HVPE技术制备GaN的速度最快,适合制备衬底材料;MBE技术制备GaN的速度最慢;而MOCVD制备速度适中.因而MOCVD在外延生长GaN材料方面得到广泛应用.介绍了MOCVD法外延生长GaN材料的基本理论、发展概况、利用MOCVD法外延生长GaN材料的技术进展.认为应结合相关技术发展大面积、高质量GaN衬底的制备技术,不断完善缓冲层技术,改进和发展横向外延技术,加快我国具有国际先进水平的MOCVD设备的研发速度,逐步打破进口设备的垄断.

关键词：金属有机化合物化学气相沉积、氮化镓、异质外延、横向外延、MOCVD设备

所属期刊栏目：35

分类号：TN604(电子元件、组件)

资助基金：河北省自然科学基金F2009000124

在线出版日期：2010-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：201-204