高精度CMOS Wildar多值电压带隙基准电路设计

摘要：

基于经典Wildar带隙基准结构,通过单级高增益低失调运放及其闭环负反馈设计,将电压求和模式输出与电阻负载驱动紧密结合,同时增加简单的单管并联高阶补偿结构,实现了一种具有较大负载驱动能力的高精度多值低压基准输出,解决了经典基准电路在补偿精度与PSRR方面的局限性.CSMC 0.5μm CMOS工艺仿真结果表明,在-40～125℃,一阶补偿的温度系数为6×10~(-6)/℃,输出电阻支路采用并联MOS管的高阶补偿后,温度系数下降到1.27×10~(-6)/℃,低频下电源抑制比达到-57 dB.

关键词：带隙基准、低压多路输出、温度系数、电源抑制比

所属期刊栏目：34

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2010-02-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1244-1247