60 G Hz 11 dBm CMOS功率放大器设计

摘要：

近年来60 GHz附近的一个连续频段可以自由使用,这为短距离的无线个域网等高速率传输的应用提供了条件.设计了一个工作在60 GHz的CMOS功率放大器.采用台积电0.13μmRF-CMOS工艺设计制造,芯片面积为0.35mm × 0.4 mm,最大线性输出功率为11 dBm,增益为9.7 dB,漏极增加效率(η_(PAE))为9.1%.达到应用在通信距离为10 m的无线个域网(WPAN)射频电路中的要求.设计中采用了厚栅氧化层工艺器件和Load-Pull方法设计最优化输出阻抗z_(opt),以提高输出功率.该方法能较大提高CMOS功率放大器的输出功率,可以应用到各种CMOS功率放大器设计中.

关键词：功率放大器、射频、互补金属氧化物半导体、个域网、负载牵引

所属期刊栏目：34

分类号：TN722.75(基本电子电路)

资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）2006CB032705

在线出版日期：2010-02-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1231-1234