GaAs MMIC宽带双平衡混频器的研制

摘要：

采用GaAs肖特基二极管工艺,设计并制造了一款宽带无源双平衡混频器,射频、本振频率为1.5～3.7 GHz,变频损耗小于10 dB,本振到射频隔离度大于35 dB,中频带宽DC～0.8 GHz.该混频器采用了环形二极管和螺旋式巴伦结构,在获得良好的变频损耗与隔离度的同时,显著减小了芯片面积,整体芯片尺寸为1.2 mm × 1.2 mm.

关键词：混频器、双平衡、巴伦、变频损耗、肖特基二极管

所属期刊栏目：34

分类号：TN74(基本电子电路)

资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）2009CB320200

在线出版日期：2010-02-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1220-1223