湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度

摘要：

研究了采用熔融NaOH对MOCVD生长的GaN外延层的湿法腐蚀结果,结合原子力显微镜表征其腐蚀坑形貌及腐蚀坑密度,得出了优化的腐蚀条件.通过与熔融KOH腐蚀结果对比分析发现,熔融NaOH腐蚀速率平缓,表面更平整,腐蚀坑更规则且密度更大.结合两种腐蚀结果,可以初步得出,熔融NaOH对GaN中刃型分量位错敏感,而熔融KOH对螺型分量位错更敏感,两种腐蚀剂相结合能够更完整地揭示GaN内部位错.

关键词：GaN、湿法化学腐蚀、熔融NaOH、熔融KOH

所属期刊栏目：34

分类号：TN304;TN305.7(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家国际科技合作专项基金

在线出版日期：2010-02-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1205-1208