AlGaN/GaN HEMT 2DEG电致耦合模型的研究

摘要：

传统计算AlGaN/GaN异质结二维电子气(2DEG)的方法是根据Hooke定律计算c轴方向压应变与拉应变,然后利用压电模量计算出不依赖于栅压的2DEG,称为非耦合模型计算.提出了一种电致耦合模型来计算2DEG,在计算过程中考虑到弛豫度与附加电场对材料压电效应的影响,结果发现,当Al组分x=0.30时,压电极化电荷密度低于传统方法的计算值,两种模型的计算值相差7.17%,由此可见,当电场作用于材料时,材料产生逆压电效应,最终导致压电极化电荷密度降低.

关键词：电致耦合模型、氮化镓、弛豫、逆压电效应、二维电子气

所属期刊栏目：34

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;天津市自然科学基金

在线出版日期：2010-02-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1185-1188,1204