MEMS圆片级封装用Cu-Sn低温键合机理与工艺研究

摘要：

研究了利用低温等温凝固技术实现Cu-Sn键合在MEMS圆片级封装中的应用.基于Cu-Sn二元平衡相图,对键合层结构进行了设计,同时设计了用于测试的键合图形,并对设计的键合结构进行了流片实验.通过对圆片制作及键合等工艺的一系列优化,在250℃的低温条件下生成了熔点为415℃的金属间化合物,获得了良好的键合层.得到的键合样品剪切力强度值达到了GJB548B-2005标准的要求.研究表明,Cu-Sn等温凝固键合技术具有实际应用的潜力.

关键词：等温凝固、Cu-Sn、键合、圆片级封装、剪切力

所属期刊栏目：34

分类号：TN405.97(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）;国家科技重大专项

在线出版日期：2010-02-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1181-1184