用于悬浮纳米结构制作的氢氟酸气相刻蚀研究

摘要：

针对纳米悬浮结构的制作,对不同温度和不同气相条件下的氢氟酸(HF)气相刻蚀进行了研究.利用自制的研究装置,使用HF/水混合气体和HF/乙醇混合气体分别进行了HF对PECVD SiO_2的气相刻蚀实验,同时测量了不同衬底温度下刻蚀速率的变化.研究结果表明,在常温常压下,HF/乙醇混合气体气相刻蚀速率约为7.6 nm/s,而HF/水混合气体气相刻蚀速率约为11.5 nm/s.在衬底温度分别为35,40和50℃时,HF/水混合气体的气相刻蚀速率分别为10.25,7.95和5.18 nm/s.利用HF气相腐蚀进行SiO_2牺牲层释放,得到了悬浮的纳米梁结构,梁与衬底的间距为400 nm.

关键词：氢氟酸、气相刻蚀、二氧化硅、纳米结构、微/纳机电系统

所属期刊栏目：34

分类号：TN303(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60576048

在线出版日期：2010-02-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1166-1169