期刊专题

10.3969/j.issn.1003-353x.2009.12.003

用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计

引用
给出了一种用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计,针对MEMS惯性器件大多采用电容量输出等特点,设计了一个低噪声运算放大器,利用该运放,设计了一种基于开关电容的电荷转移电路来将电容量转换为电压量,以便后续电路处理.采用了相关双采样(CDS)技术,较大地减少了电路和MEMS惯性器件的1/f噪声、热噪声,抑制了零漂.采用HHNEC 0.35 μmCMOS工艺制造,面积为1 mm×2 mm,与MEMS器件封装在一起,并进行了实际测试,结果表明,该读出电路基本满足要求,并具有较低的噪声.

低噪声、微电子机械系统、相关双采样、电荷转移、惯性器件

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TN405(微电子学、集成电路(IC))

国家自然科学基金60772030

2010-02-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

1162-1165

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

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2009,34(12)

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