期刊专题

10.3969/j.issn.1003-353x.2009.11.018

兼顾群延时与宽带匹配的SiGe HBT LNA设计

引用
选用SiGe HBT作为电路的有源器件,利用基极串联电感LB与反馈支路、晶体管Miller效应所产生的寄生电容形成的T型匹配网络取得了输入阻抗的良好匹配,并就基极串联电感值对系统群延时的影响进行了讨论,优化LB以满足兼容群延时与宽带匹配的要求.该放大器在3.1~10.6 GHz的带宽内增益达到12.7 dB,增益变化小于等于1.8 dB,噪声小于3.85 dB,群延时小于24 ps,静态功耗仅为6.3 mW.

低噪声放大器、超宽带、宽带匹配、群延时

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TN722.75(基本电子电路)

国家自然科学基金;北京市自然科学基金;北京市教委科技发展计划;中青年骨干教师培养计划;北京市优秀跨世纪人才基金;北京工业大学青年科研基金;北京工业大学博士科研启动费;研究生科技基金

2010-01-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

1118-1121,1126

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

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2009,34(11)

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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
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