InGaP/GaAs HBT功率放大器的键合线匹配技术

摘要：

射频集成电路的性能很大程度受到封装的影响,与集成电路设计和制造工艺相比,封装技术并没有受到相应的关注.用一种新的键合线匹配功率放大器(PAM)的方法,利用封装寄生参数进行电路匹配设计,消除了封装的负面影响,并进行了试制验证;电路芯片采用InGaWGaAs HBT工艺制作并使用了16引脚微小引线框架(MLP)封装.无需芯片外表面贴装电容和电感,实现了功率放大器的低损耗输出阻抗匹配,节省了宝贵的线路板空间.电路测试指标很好地达到了设计要求,证明了该技术的可行性,为高性能、低成本射频功率放大器的开发提供了新的思路.

关键词：功率放大器、封装、键合线、阻抗匹配、无线通信、异质结双极晶体管

所属期刊栏目：34

分类号：TN722.75;TN305.94(基本电子电路)

资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）9732009CB320200

在线出版日期：2010-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1062-1065