国外InP HEMT和InP HBT的发展现状及应用

摘要：

在毫米波段,InP基器件由于其具有高频、高功率、低噪声及抗辐射等特点,成为人们的首选,尤其适用于空间应用.InP HEMT和InP HBT已在卫星、雷达等军事应用中表现出了优异的性能.分别介绍了InP HEMT和InP HBT器件及电路的发展现状,现在能达到的最高性能及主要生产公司等,其中InP HEMT又分别按低噪声和功率进行了详细介绍.介绍了它们在军事上的主要应用,以具体的应用实例介绍了在卫星相控阵雷达系统天线中的T/R模块中、航天器和地面站的接收机中、以及雷达和通信系统中的应用情况、达到的性能及可靠性等.并根据国外InP器件和电路的发展现状总结了其未来发展趋势.

关键词：磷化铟高电子迁移率晶体管、磷化铟异质结双极晶体管、T/R模块

所属期刊栏目：34

分类号：TN322.8;TN323.4(半导体技术)

在线出版日期：2010-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1053-1057