新型电流微调CMOS带隙基准源的设计

摘要：

介绍了一个新型PTAT电流微调并具有关断模式的CMOS带隙基准源,通过数字控制信号逻辑的改变,可实现1.20～1.27V的基准输出.该带隙基准源采用TSMC 0.18 μm工艺进行电路和版图设计.仿真结果显示,在输出基准为1.24 V的情况下,带隙基准源在-40～125℃,所有工艺角下的最大误差为23.07 mV,其中tt工艺角下的温度系数为21×10-6/℃.电源电压为1.8 V时,电源电流为63μA;关断模式下电流为93 pA.10 kHz的电源抑制比为44 dB.

关键词：CMOS带隙基准、电流微调、关断模式

所属期刊栏目：34

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2009-11-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：919-922