贴合法制造长波长InGaAs/InP-GaAs/AlGaAs APD

摘要：

报道了一种用于长波长新的片直接贴合In0.53Ga0.47As/InP-GaAs/Al0.2Ga0.8As APD的设计和制造.使用MBE技术,在p+InP衬底上生长掺Be的p型InP薄层,在n+GaAs衬底上生长掺Be的p型GaAs薄层,并对此两薄层界面进行片直接贴合.成功地在1.3、1.55μm的波长分别获得约47%和33%的均匀增益外量子效率,雪崩增益M为25的APD.

关键词：片直接贴合、长波长、雪崩光电二极管、分子束外延、外量子效率

所属期刊栏目：34

分类号：TN312.7(半导体技术)

在线出版日期：2009-11-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：864-867