垂直结构GaN基LEDs电流分布计算分析

摘要：

电流分布是影响大功率LEDs器件性能的重要因素,与传统结构GaN基器件比较,垂直结构器件通过采用上下电极分布,明显改善了LEDs器件内部电流分布均匀性.通过理论分析与数值计算,建立起了垂直结构GaN基LEDs电流分布模型,研究了垂直结构GaN基LEDs电流分布及I-V特性.结果表明,与传统平面结构比较,垂直结构GaN基LEDs的电流分布均匀性得到了明显改善,同时正向电压降低约7%.最后,通过晶片键合与激光剥离技术,制备了垂直结构GaN基LEDs,测试结果表明,实验结果和理论计算值相吻合.该结果对GaN基LEDs器件的优化设计具有重要指导意义.

关键词：氮化镓、垂直结构、发光二极管、电流分布、激光剥离

所属期刊栏目：34

分类号：TN312.8(半导体技术)

在线出版日期：2009-11-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：861-863,871