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10.3969/j.issn.1003-353x.2009.09.005

太阳电池用Ge抛光片清洗技术的研究进展

引用
Ge抛光片作为化合物太阳电池的衬底材料已引起人们的广泛关注.制备工艺要求衬底材料的表面具有稳定的化学特性和高的清洁度,因此,Ge抛光片的清洗技术显得尤为重要.Ge在常温下既不与浓碱发生反应,也不与单一的强酸反应,其清洗机理与Si、GaAs等材料相差较大.在实验和查阅文献的基础上,阐述了Ge抛光片的清洗机理,介绍了太阳电池用Ge抛光片表面的宏观沾污和微观沾污的清洗方法和过程、同时对Ge抛光片表面的氧化状态进行了分析.另外,还对目前国内外Ge抛光片清洗技术的研究现状及技术水平做了介绍,指出了Ge抛光片清洗技术存在的问题,并对其发展趋势进行了展望.

太阳电池、Ge抛光片、清洗技术、进展

34

TN305.97(半导体技术)

2009-11-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

840-844

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

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2009,34(9)

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