新型半导体功率器件在现代雷达中的应用研究(Ⅰ)

摘要：

目前第一代半导体功率器件的制造技术和应用技术已趋于成熟,S波段及以下波段功率器件的输出功率、工作效率和可靠性指标都已达到相当高的水平.近年来第二代半导体功率器件的制造技术和应用技术发展迅速,S波段、C波段和X波段的器件已经形成了一定的系列化商品.但是面对现代雷达等新一代电子装备的需求,半导体功率器件在高功率、高效率和高频率等方面与真空管器件相比仍逊色许多,Si和GaAs功率器件的输出功率工作频率短期内不大可能有大的提高,而第三代半导体功率器件——宽禁带半导体器件固有的宽禁带、高击穿场强和良好的热稳定性等特性,决定了其可以输出更高功率、工作在更高频率、具有更高效率,并可更好地满足现代雷达的要求.

关键词：雷达、发射机、功率器件、宽禁带半导体、可靠性

所属期刊栏目：34

分类号：TN323.4;TN95(半导体技术)

在线出版日期：2009-11-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：828-832