InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅱ)

摘要：

@@ 5 制作工艺和优化
Ⅱ型InP DHBT的工艺流程与传统Ⅰ型InP HBT和DHBT工艺基本相同,一般沿用传统的三台面工艺,所不同之处主要是基区材料不同而导致湿法腐蚀和工艺细节变化,此外,由于Ⅱ型DHBT集电区全部采用InP材料,从而减小了由于四元缓变层带来的形成集电区台面时的工艺难度.

机标关键词：双异质结双极晶体管、gaassb、技术发展现状

所属期刊栏目：34

分类号：TN385(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）2003CB314901

在线出版日期：2009-11-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：821-827