高隔离度宽频段组合式RF-MEMS开关的设计

摘要：

接触式与电容耦合式两类RF MEMS开关各自在一定的频段内,都具有较高的隔离度,但仍然很难满足微波控制系统中对高隔离度的要求.为了获得全波段高隔离度RF MEMS开关,单元开关很难达到要求,在此目标要求下,提出了组合式RF MEMS开关的设计,分别利用HFSS软件对各单元进行结构参数优化,再将两者集成在一起,得到的组合式RF MEMS开关,这种组合式开关在0～20 GHz时隔离度都高于-60 dB,在(≤5 GHz),隔离度高于-70 dB,这是一般单元开关及其他半导体固态开关所无法企及的,而且,在DC～20 GHz范围内,开关的插入损耗小于-0.20 dB,而且并没因隔离度的提高,牺牲了插入损耗.

关键词：组合式射频微电子机械系统开关、插入损耗、隔离度、微波控制系统

所属期刊栏目：34

分类号：TM564(电器)

在线出版日期：2009-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：251-253,265