基于DCIV法对pMOSFET热载流子损伤的研究

摘要：

利用新型的直流电流电压(DCIV)法研究了热载流子应力下的亚微米pMOSFET的氧化层陷阱电荷和表面态产生行为,并对热载流子应力下pMOSFET的阈值电压和线性区漏端电流的退化机制做出了物理解释.实验发现在栅极电压较高的热载流子应力条件下,热载流子引发表面态密度随时间变化的两个阶段:第一阶段,电负性的氧化层陷阱电荷起主导作用,使线性区漏端电流随时间增加;第二阶段,表面态逐渐起主导作用,导致线性电流随时间逐渐减小.

关键词：pMOSFET、热裁流子退化、表面态、氧化层电荷

所属期刊栏目：34

分类号：TN386.1;TN306(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;上海交通大学微电子学院科研基金资助项目

在线出版日期：2009-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：240-243