高频控制开关用沟槽MOSFET的研究

摘要：

高频控制开关用功率器件要同时具备极低的导通电阻和栅漏电荷值,从而降低导通损耗和开关损耗.基于器件与工艺模拟软件TsupremⅣ和Medici,研究了工艺参数和设计参数对沟槽MOSFET器件击穿电压、比导通电阻和栅漏电荷的影响,优化设计了耐压30 V的开关用沟槽MOSFET器件.对栅极充电曲线中平台段变倾斜的现象,运用沟道长度调制效应给出了解释.

关键词：沟槽MOSFET、器件优值、沟道长度调制效应、栅-漏电荷

所属期刊栏目：34

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）2006AA052211

在线出版日期：2009-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：236-239