Cu通孔诱导的应力对CMOS迁移率影响分析

摘要：

利用Si片中填充Cu通孔技术实现芯片间互连是目前最有前景的三维芯片技术.利用有限元模型仿真研究了Cu通孔在Si中引起的诱导应力对CMOS晶体管迁移率的影响.分析了键合力、键合温度、通孔直径和Si片厚度等因素的影响.研究发现,Si中诱导应力的主因是键合温度,且诱导应力随Si片厚度降低而减小.同时,晶体管免受区正比于通孔的直径,且PMOS迁移率变化率对应力的敏感程度要大于NMOS,因而PMOS的免受区决定整个CMOS工艺的免受区.

关键词：通孔、键合、应力、迁移率、芯片互连、3D芯片技术

所属期刊栏目：34

分类号：TN304.1;TN305.94(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;上海市浦江人才计划

在线出版日期：2009-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：221-224