场终止型IGBT基区掺杂浓度计算的新方法

摘要：

基于场终止型IGBT的结构特点与工作机理,提出了一种通过提取IGBT拖尾电流计算基区掺杂浓度新方法,该方法针对已有商用器件只需测试端口电气参数而无需破坏性实验,具有易操作、准确性高的特点.最后分析了一般硬开关和附加吸收电路对IGBT关断拖尾电流测试的影响,提出一种新的测试电路并进行了拖尾电流提取实验,同时也验证了该方法的准确性.

关键词：绝缘栅双极型晶体管、场终止结构、基区掺杂浓度、拖尾电流

所属期刊栏目：34

分类号：TN304;TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2009-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：217-220