平滑陡直的Si深槽刻蚀方法

摘要：

Si深槽刻蚀技术在MEMS器件加工中具有重要的作用,现有的刻蚀方法在选择比和各向异性问题上各有优缺点.常用的Bosch工艺采取了钝化与刻蚀交替进行的措施,但具有侧壁粗糙的缺点.提出了不同于Bosch工艺的新刻蚀方法,采用刻蚀反应和淀积钝化反应同时进行并保持化学平衡的方法,取得了平滑陡直的刻蚀效果.在电感耦合等离子体刻蚀机ICP-98A上的实验结果表明,在直径100 nim的光刻胶掩蔽Si片上,刻蚀深度为39.2 pm,光刻胶剩余4.8 μm,侧壁表面满足平滑陡直的要求.

关键词：硅深槽刻蚀、电感耦合等离子体、Bosch工艺、化学平衡

所属期刊栏目：34

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：中国科学院微电子研究所所长基金07SF074002

在线出版日期：2009-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：214-216,220