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10.3969/j.issn.1003-353X.2009.01.026

基于参数退化法评价功率肖特基二极管寿命

引用
对功率肖特基二极管(SBD)施加恒定电应力、序进温度应力进行退化实验,考察了反向漏电流,IR、理想因子n、势垒高度ΦB以及串联电阻Rs等参数的退化情况.可以看出,在退化的过程中,SBD的,IR增加较快,n逐渐减小,ΦB逐渐增大,而Rs则缓慢增加.综合考察这些退化曲线,采用退化最为明显的,IR作为失效判据.基于IR参数退化曲线,使用恒定电应力温度斜坡法(CETRM)模型,推导出该功率肖特基二极管的寿命约为4.3×107 h,测试结果与实际预测相符.

退化试验、理想因子、势垒高度、肖特基二极管、恒定电应力温度斜坡法

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TN312.4(半导体技术)

2009-04-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

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2009,34(1)

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