用变温法测量RTD串联电阻

摘要：

用变温法测量了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)器件的串联电阻参数.与网络分析仪法不同,变温法是通过测量RTD器件在不同温度下的I-V特性曲线,用数学方法求解曲线特定区域的相关参数得到串联电阻值.为了便于对比,设计并研制了两种发射极面积的RTD器件,经测量发现,发射极面积对于RTD的串联电阻有较大影响.对其产生原因进行了详细的分析,为RTD在高频电路中的应用奠定了基础.

关键词：共振隧穿二极管、串联电阻、变温法

所属期刊栏目：34

分类号：TN312.2(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）2002CB311905

在线出版日期：2009-04-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：83-87