基于Arrhenius模型快速评价功率VDMOS可靠性

摘要：

基于Arrhenius模型,对功率器件垂直导电双扩散(VDMOS)场效应晶体管的可靠性进行了评价,并对其主要失效机理进行了分析.通过样管在不同结温下的恒定温度应力加速寿命实验,利用Arrhenius方程和最好线性无偏差估计法(BLUE)对结果进行数据处理,得到其失效激活能E=0.54 eV,在偏置VDs=7.5 V,IDs=0.8 A,推导出功率VDMOS在室温下工作的寿命特征值为3.67×106 h.失效分析发现,栅极累积失效是影响功率VDMOS漏源电流,IDs退化的主要失效机理.

关键词：垂直双扩散场金属氧化物半导体、失效激活能、失效机理、Arrhenius模型、最好线性无偏差估计法

所属期刊栏目：34

分类号：TN386;TN306(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）;博士启动基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2009-04-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：79-82