高频4H-SiC双极晶体管的研制

摘要：

研制出国内第一个高频4H-SiC双极晶体管.该器件采用了双台面结构和叉指结构,室温下的最大直流电流增益(β)为3.25,集电结击穿电压BVCBO达200 V.器件的β随温度的升高而降低,具有负的温度系数,这种特性使该器件容易并联,避免出现热失控现象.器件的高频特性由矢量网络分析仪测量得到,截止频率.fT为360 MHz、最高振荡频率fmax为160 MHz.

关键词：4H-碳化硅、双极晶体管、电流增益、截止频率

所属期刊栏目：34

分类号：TN325.3;TN322.8(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）2002CB311904

在线出版日期：2009-04-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：58-61