高k栅介质的可靠性问题

摘要：

随着集成电路特征尺寸的不断缩短,利用先进的高k/金属栅堆叠来取代传统的SiO2/多晶硅栅结构成为微电子技术发展的必然,确保这些新的栅极堆叠类型具有足够的可靠性是非常重要的.综述了高k栅介质可靠性的研究现状,阐明了瞬态充电效应导致的阈值电压不可靠问题,对偏压温度不稳定现象(BTI)和高k击穿特性进行了探讨.

关键词：高介电常数、电荷捕获、金属栅、偏压温度不稳定性

所属期刊栏目：34

分类号：TN304.1;TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;上海市浦江人才计划

在线出版日期：2009-04-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：6-9，87