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10.3969/j.issn.1003-353X.2008.10.015

电磁脉冲对GaAs LNA损伤及其分析

引用
介绍了电磁脉冲对GaAs低噪声放大器(LNA)损伤机理和损伤模式.利用特定电磁脉冲信号对其进行损伤,通过开帽内部目检、扫描电镜等失效手段和方法,针对该低噪声放大器在电磁脉冲实验中损伤机理及损伤模式进行了分析与讨论.实验表明,GaAs低噪声放大器的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入损伤退化,主要失效部位表现为有源器件,指出了对GaAs器件加固的一些措施,对器件设计者和使用者具有一定的参考意义.

低噪声放大器、电磁脉冲、损伤试验、软损伤机理

33

TN722;TN306(基本电子电路)

国家自然科学基金50237040

2008-11-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

899-901

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

33

2008,33(10)

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