半导体量子点的发光性质研究

摘要：

用PL谱测试研究了半导体量子点的光致发光性能,分析了不同In组分覆盖层对分子束外延生长的量子点发光特性的影响,及导致发光峰红移的原因.结果显示,In元素有效抑制界面组分的混杂,使得量子点的均匀性得到改善,PL谱半高宽变窄.用InAs覆盖的In0.5Ga0.5As/GaAs自组织量子点实现了1.3um发光.

关键词：量子点、发光性质、光致发光谱测试

所属期刊栏目：33

分类号：TN360(半导体技术)

在线出版日期：2008-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：895-898