玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜研究

摘要：

采用电子回旋共振.等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和霍尔测量系统对样品进行了检测,研究了其结晶性和电学特性随沉积温度的变化.结果表明,当沉积温度为250-430℃时,得到的GaN薄膜都呈现高度的C轴择优取向,结晶性较好;薄膜表面形貌较为平整且呈n型导电.

关键词：电子回旋共振.等离子体增强金属有机物化学气相沉积、氮化镓、低温沉积、玻璃衬底

所属期刊栏目：33

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60476008

在线出版日期：2008-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：880-884