90 nm技术中接触层Cu扩散缺陷分析与解决方案

摘要：

在90 nm工艺时代,接触孔工艺问题对于提升90 nm产品的成品率具有重要意义.基于在90 nm工艺中接触孔四周存在的较为严重的Cu扩散问题,通过失效分析,确定引起Cu扩散问题的主要原因是由于光刻胶残留造成的.通过合理的设计,优化了光刻胶清洗流程,最终达到成品率提升的目的.

关键词：半导体制造、接触层、铜扩散、缺陷

所属期刊栏目：33

分类号：TN305.4(半导体技术)

在线出版日期：2008-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：866-868