SiC MESFET中Ti/Pt/Au肖特基接触稳定性的研究

摘要：

SiC是一种在高功率和高温应用中涌现的非常重要的半导体材料.研究了一种国产Sic MESFET 器件300℃温度应力下,存储1 000 h Ti/Pt/Au栅肖特基势垒接触的稳定性以及器件电学特性的变化.实验结果表明在300℃温度应力下,器件的最大饱和漏电流、势垒高度、阈值电压和跨导等参数均呈现明显的下降趋势,在实验前期一段时间内退化较快,而在应力后期某段时间内为渐变并趋于稳定.

关键词：碳化硅金属肖特基场效应晶体管、肖特基结、栅退化、稳定性

所属期刊栏目：33

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家重点实验室基金9140C03020307DZ15

在线出版日期：2008-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：859-861,916