探测器中扩散结深对光响应度影响的研究

摘要：

研究了InGaAs/InP PIN探测器中扩散结深对光响应度的影响,对不同扩散条件下的光电探测器进行了对比实验,测量了不同结深下器件的Ⅰ-Ⅴ特性和光响应度.结果表明:扩散结深对器件的Ⅰ-Ⅴ特性影响不大,而对光响应度影响很大,当结深处在InGaAs吸收层上表面时,光响应度最大值出现在波长1.55um处;而当结深进入衬底InP层后,光响应度最大值则出现在波长1um处.另外,在闭管扩散实验中,严格控制温度和扩散时间是控制结深的关键,研究了不同扩散温度和扩散时间下的结深,为器件的制备提供了参考.

关键词：探测器、光响应度、InGaAs/InP、结深

所属期刊栏目：33

分类号：TN36(半导体技术)

资助基金：北京市自然科学基金;教育部出国留学人员基金资助项目

在线出版日期：2008-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：855-858