Si中场致光整流效应的研究

摘要：

通过观测Si/Al肖特基势垒受光照时产生的光生电压与光波偏振方向和晶向的变化关系,发现了光生电压的各向异性规律,即光敏面不同点处光敏特性不同,并且有一定规律.经理论分析和实验数据曲线拟和,认为这是由于金属和半导体接触形成势垒,产生内建电场,电场的存在使晶体对称性被破坏,产生二阶非线性效应的光整流,光整流产生的直流电场又与内建电场相互作用的结果.

关键词：电场诱导、光整流效应、光生电压

所属期刊栏目：33

分类号：TN304.12(半导体技术)

在线出版日期：2008-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：798-800