Si损伤缺陷分析与解决方案

摘要：

在半导体制造工艺流程中,浅沟道隔离(STI)工艺环节中的Si损伤一直是个困扰的问题.由于Si损伤的存在,造成5%-10%的良率损失,同时,严重影响产品的可靠性.分析了Si损伤缺陷的形成机理,并通过合理的实验设计和分析,给出了具体的解决方案.通过工艺制程的改良,既解决了Si损伤缺陷,节省了晶圆加工的时间,也减少了表面尘粒粘污.这个新工艺已经在中芯国际8厂得到了验证,对产品的电性能没有影响,同时,产品的量率还提高了5%-10%,已正式投入使用.

关键词：半导体制造、浅沟道隔离、湿法刻蚀、硅损伤

所属期刊栏目：33

分类号：TN304.12(半导体技术)

在线出版日期：2008-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：791-792