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10.3969/j.issn.1003-353X.2008.09.012

一款微波双极晶体管的设计和实现

引用
对双极晶体管结构和关键性能参数进行了研究和设计,并进行了流片测试.介绍了器件工艺步骤及其采用的工艺结构.对器件的特征频率、Gummel曲线、发射极电子和空穴浓度、CE击穿特性模拟、β/Ic曲线等关键参数进行了模拟.模拟器件最高特征频率为10 GHz,流片测试最高特征频率为9.5 GHz.

双极晶体管、特征频率、双层多晶硅、增益

33

TN385(半导体技术)

聊城大学东昌学院高科技发展项目

2008-12-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

780-783

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

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2008,33(9)

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