GaAs垂直结构PIN二极管限幅器

摘要：

基于垂直结构GaAs PIN二极管的工艺技术开发,在GaAs PHEMT生产线上开发研制了GaAs PIN二极管限幅器单片集成电路.针对不同频段的单片电路采用了不同的材料结构参数设计.工艺中采用先进的深挖槽技术,严格控制横向钻蚀问题,制作出了限幅水平40 mW、最大承受功率5 W的多个频段GaAs限幅器单片电路,成品率达到95%以上.GaAs垂直结构PIN二极管工艺对GaAs PIN二极管大功率开关、限幅器等GaAs MMIC的发展具有重大意义.

关键词：垂直结构、PIN 二极管、限幅器、深挖槽

所属期刊栏目：33

分类号：TN364.2;TN402(半导体技术)

资助基金：国家部委项目

在线出版日期：2008-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：766-768