CMOS工艺兼容的热电堆红外探测器

摘要：

提出了一种CMOS工艺兼容的、并采用XeF2气体干法刻蚀工艺释放的热电堆红外探测器.探测器包括硅基体、框架、热电堆、支撑臂、红外吸收层、刻蚀开口等.作为红外吸收层的氧化硅/氮化硅复合介质膜具有多种形状的腐蚀开口,使用各向同性的干法刻蚀从正面刻蚀衬底释放器件.探测器尺寸为2 mm×2 mm,由20对多晶硅-铝热电偶组成,串联电阻16～18 kΩ.释放后的器件特性响应率13～15 V/W,探测率(1.85～2.15)×107 cmHz1/2/W,时间常数20～25ms.

关键词：热电堆、红外探测器、干法刻蚀、XeF2气体

所属期刊栏目：33

分类号：TN215;TP271+.2(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金;上海-应用材料研究与发展基金

在线出版日期：2008-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：759-761,765