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10.3969/j.issn.1003-353X.2008.09.003

高效率高亮度半导体激光器技术进展

引用
半导体激光器在军事领域和工业领域有着广泛应用,近年在性能参数方面有许多引人瞩目的进展.综述了提高功率转换效率的技术方法和途径,指出经过工艺优化后焦耳热和阈值热将是未来激光器的主要研究内容,介绍了波长稳定的激光器的两种制作方法,即外光栅法和内光栅法,激光器的波长稳定性达到0.1 nm/K以下.在外延材料结构中采用各种形式的大光腔结构设计,可以扩展近场光斑,从而使半导体激光器的光束发散角达到25°甚至更低.对较热门的近衍射极限激光器的制作方法进行了介绍,分析了不同方法的优缺点及应用情况.

激光二极管、功率转换效率、阈值电流密度、光束发散角、近衍射极限

33

TN248.4(光电子技术、激光技术)

2008-12-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

748-751,755

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

33

2008,33(9)

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