相变随机存储器材料与结构设计最新进展

摘要：

介绍了相变随机存储器(PCRAM)的研究现状,包括新型相变材料、热阻层材料和器件结构等.分析了GeSb和SiSb等相变材料具有组分简单、数据保持力好、优良的存储性能等特点,介绍了PCRAM这一新型半导体存储器的基本原理、特点以及国内外有关相变材料、过渡层材料和器件结构设计等方面的研究进展,最后提出了我国发展PCRAM的几点思考.

关键词：相变随机存储器、相变材料、热阻层材料

所属期刊栏目：33

分类号：TN333.8(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）;国家高技术研究发展计划（863计划）;国家自然科学基金;上海市科委项目

在线出版日期：2008-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：737-742